Fotoelektrischer Wandler mit einem ersten und einem zweiten pn-Übergang aus III-V-Verbindungshalbleitern

Fotoelektrischer Wandler mit einem ersten und einem zweiten pn-Ubergang, wobei der erste pn-Ubergang in einem durch (Al 1-y Ga y ) 1-x In x P reprasentierten Halbleiter (4) ausgebildet ist und der zweite pn-Ubergang in einem durch Ga 1-z In z As reprasentierten Halbleiter (2) ausgebildet ist, wobei die Zusammensetzungsanteile z, x und y der Halbleiter Ga 1-z In z As (2) und (Al 1-y Ga y ) 1-x In x P (4) in die folgenden jeweiligen Bereiche fallen: 0,11 < z < 0,29, x = –0,346z 2 + 1,08z + 0,484 und 131z 3 – 66,0z 2 + 9,17z + 0,309 < y < 28,0z 3 – 24,4z 2 + 5,82z + 0,325, und wobei die den ersten und zweiten pn-Ubergang enthaltende Schicht (2, 4) auf einem Einkristallsubstrat (11, 12) aus GaAs, Ge oder Si hergestellt ist.