A method and structure for pFET transition Profilmit SiGe channel

Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, welche eine p-Kanal-Feldeffekttransistor(pFET)-Einheit aufweist, die auf einer Flache eines Siliciumgermanium(SiGe)-Kanals 14 angeordnet ist, in welcher das Ubergangsprofil der Source-Zone und der Drain-Zone 26 abrupt ist. Die abrupten Source/Drain-Ubergange fur pFET-Einheiten werden in der vorliegenden Offenbarung durch Bilden einer N- oder C-dotierten Si-Schicht 16 direkt unterhalb einer SiGe-Kanal-Schicht 14 bereitgestellt, welche uber einem Si-Substrat 12 angeordnet ist. So wird eine Struktur bereitgestellt, in welcher die N- oder C-dotierte Si-Schicht 16 (zwischen der SiGe-Kanal-Schicht und dem Si-Substrat angeordnet) ungefahr dieselbe Diffusionsgeschwindigkeit fur einen Dotierstoff des p-Typs wie die daruber liegende SiGe-Kanal-Schicht aufweist. Da die N- oder C-dotierte Si-Schicht und die daruber liegende SiGe-Kanal-Schicht 14 im Wesentlichen dasselbe Diffusionsvermogen fur einen Dotierstoff des p-Typs aufweisen und da die N- oder C-dotierte Si-Schicht 16 die Diffusion des Dotierstoff des p-Typs in das darunter liegende Si-Substrat verzogert, konnen abrupte Source/Drain-Ubergange gebildet werden.