Procédé d'oxydation par plasma, appareil d'oxydation par plasma et support de stockage

L'invention concerne un procede de formation de film d'oxyde de silicium qui consiste a placer un objet a traiter et possedant une surface presentant une structure en saillie/retrait et contenant du silicium dans une cuve de traitement d'un appareil de traitement au plasma, a produire un plasma a partir d'un gaz de traitement contenant de l'oxygene dans une proportion comprise entre 5% et 20 % sous une pression de traitement compris entre 267 Pa et 400 Pa dans la cuve de traitement et, a former un film d'oxyde de silicium en oxydant le silicium sur la surface de l'objet a traiter par le plasma.