p-GaN表面Ni／Au电极欧姆接触特性的Pt^＋注入改性研究

对p-GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处进行Pt^＋注入，注入后的样品在空气中快速热退火处理5min，发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善，接触电阻率从10^-1Ω·cm^2数量级降低到10^-3Ω·cm^2数量级。通过研究在不同Pt^＋注入剂量（5×10^15、1×10^16、2×10^16cm^-2）和退火温度下接触电阻率的变化规律。在Pt^＋注入剂量为1×10^16cm^-2，300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率，为3．55×10^-2Ω·cm^2。探讨了Pt^＋离子注入引起欧姆接触改善的内在机制。