procédé et appareil de formation de film

La presente invention concerne un appareil de formation de film pouvant retirer un film d'oxyde naturel present sur un substrat de silicium (W) a une temperature extremement basse par rapport aux appareils classiques. Le film d'oxyde naturel est retire a basse temperature par la conversion dudit fil present sur ledit substrat (W) en une substance volatile et l'evaporation de celle-ci. Ledit film peut etre converti en ladite substance volatile, c'est-a-dire du fluorosilicate d'ammonium, en faisant reagir ledit film avec du fluorure d'ammonium. Un film monocristallin en SiGe peut etre mis a croitre sur ledit substrat (W) a partir duquel on retire ledit film. L'appareil est equipe d'une chambre de transfert de substrat pour transferer une chambre de gravure, une chambre de croissance de SiGe et le substrat de silicium sous une atmosphere controlee.