Circuit integre a semi-conducteur et procede pour produire ce circuit

Dispositif circuit integre a semi-conducteur a structure 'systeme sur puce'. Ce dispositif comporte un systeme mixte memoire RAM dynamique et circuit integre logique. Des couches de siliciure sont formees sur les surfaces de la source et du drain d'un transistor MIS a effet de champ formant le circuit peripherique direct de la memoire RAM dynamique. La source et le drain d'un second transistor MIS a effet de champ forment le circuit peripherique indirect de la memoire RAM dynamique, et la source et le drain d'un troisieme transistor MIS a effet de champ forment le circuit integre logique. Les surfaces de la source et du drain d'un transistor MIS a effet de champ selecteur de cellule memoire constituant la cellule memoire de la memoire RAM dynamique ne comportent pas de couche de siliciure.