Substrat de silicium sur isolant (soi)

Le but de l'invention est de proposer un substrat de silicium sur isolant (SOI) pour un dispositif a semi-conducteurs de puissance qui ne contient pas de metaux rares et n'a pas de mecanisme de refroidissement, par resolution simultanee de problemes portant sur les substrats SOI classiques selon lesquels un film de carbone est utilise en tant que couche isolante (couche I), et de problemes portant sur la synthese de diamant par le procede de depot chimique en phase vapeur par filament chaud (HFCVD). Le substrat SOI pour un dispositif a semi-conducteurs de puissance peut etre fourni en ayant une tension de tenue elevee et une conductivite thermique elevee en rendant le substrat SOI en tant que couche I ayant une structure hybride d'un film de carbone et d'un film de diamant monocristallin, ou de facon davantage preferee en rendant le substrat SOI en tant que couche I comprenant en outre un film d'oxyde de silicium (film de SiO 2 ) entre un substrat de silicium et le film de carbone.