Modulation d'énergie superficielle anisotrope par implantation d'ions

La presente invention concerne des procedes de modulation d'energies superficielles d'un materiau par implantation d'ions, par exemple en utilisant un appareil de traitement a plasma avec un modificateur de gaine plasma. Deux implantations d'ions ou plus peuvent etre effectuees, les regions d'implantation de deux des implantations d'ions se chevauchant. Les especes implantees par un premier implant peuvent augmenter l'hydrophobicite de la surface, les especes implantees par le deuxieme implant pouvant diminuer l'hydrophobicite de la surface. De cette maniere, une piece de fabrication peut etre implantee de sorte que differentes parties de sa surface aient des energies superficielles differentes.