Contacts de ligne binaire dans une matrice de cellules memoire

L'invention concerne un procede d'etablissement de contacts de ligne binaire dans une matrice de cellules memoire comprenant plusieurs lignes binaires (2) disposees dans une premiere direction, ces lignes binaires (2) etant recouvertes d'une couche isolante (3), et plusieurs lignes mot (4) disposees dans une seconde direction, perpendiculaire a la premiere direction, au dessus des lignes binaires, ces cellules memoire etant disposees aux points de croisement des lignes binaires (2) et des lignes mot. Selon une premiere realisation de l'invention, la couche isolante (3) est eliminee des lignes binaires (2) aux portions qui ne sont pas recouvertes par les lignes mot (4), les zones entre les lignes binaires (2) n'etant pas touchees. Dans une autre realisation, la couche isolante (3) est eliminee de toute la matrice de cellules memoire. Puis, un materiau conducteur electrique (18) est place sur les portions exposees des lignes binaires (2).Ce procede est utilise afin d'etablir des contacts de ligne binaire dans une puce memoire a lecture seule (NROMTM) en nitrure.