질화물 반도체 발광소자 및 제조방법

본 발명은 광추출효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법을 제공한다. 상기 질화물 반도체 발광소자는 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광 적층구조물과, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층에 각각 전기적으로 접속되도록 형성된 제1 및 제2 전극패드와, 상기 제2 전극패드 하부에 적어도 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부까지의 깊이를 갖도록 형성된 복수의 홈과, 상기 복수의 홈에 의해 노출된 발광 적층구조물 영역과 상기 제2 전극패드가 전기적으로 절연되도록 상기 복수의 홈 내부면에 형성된 절연막을 포함한다.