Module semi-conducteur de puissance et module de puissance l'utilisant

La presente invention a pour but de fournir : un module semi-conducteur de puissance qui presente une excellente conductivite thermique ; un module de puissance qui utilise le module semi-conducteur de puissance selon la presente invention. Afin d'atteindre le but susmentionne, un module semi-conducteur de puissance selon la presente invention est caracterise par le fait qu'il comporte : un element semi-conducteur ; une plaque conductrice, sur une surface de laquelle l'element semi-conducteur est monte ; une partie d'etancheite en resine qui recouvre une partie de la surface laterale de la plaque conductrice, tout en ayant au moins une partie de l'autre surface de la plaque conductrice exposee a partir de celle-ci, ladite autre surface etant sur le cote inverse de la surface susmentionnee ; un film d'oxyde d'yttrium dispose sur la surface susmentionnee et la partie de l'autre surface de la plaque conductrice, ladite partie etant exposee a partir de la partie d'etancheite en resine ; un film isolant qui est dispose sur le film d'oxyde d'yttrium. Le module semi-conducteur de puissance selon la presente invention est egalement caracterise en ce que le film d'oxyde d'yttrium est forme de cristaux d'oxyde d'yttrium composes de cristaux cubiques et de cristaux monocliniques, le rapport des cristaux monocliniques etant de 7 % au maximum, et presentant un facteur de reflexion diffuse de 80 % au maximum a une longueur d'onde de 750 nm.