Processus de pretraitement aux u.v. destine a une couche ultra-mince d'oxynitrure lors de la formation de films au nitrure de silicium

Selon la presente invention, la couche d'oxynitrure ou d'oxyde formee sur un substrat a semi-conducteurs est pre-traitee avec un gaz excite par les U.V. (tel que du chlore ou de l'azote) pour ameliorer l'etat de la surface de la couche et augmenter la densite des sites de nucleation pour le depot ulterieur de nitrure de silicium. Le pretraitement a pour effet de reduire la valeur quadratique moyenne de la rugosite de surface de films au nitrure de silicium plus minces (ayant une epaisseur reelle inferieure a 36 A pouvant meme etre inferieure a 20 A) qui sont deposes sur la couche d'oxynitrure par depot chimique en phase vapeur (CVD).