СВЯЗАННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА
2015
Описан подход к увеличению выходной мощности источника терагерцевого излучения на чипе. Теоретически исследовано влияние параметров линии и числа генераторов на спектр системы и фазовую стабильность. Представлены результаты экспериментального исследования генератора, изготовленного по 350 нм SiGe технологии.
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI