半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系iii−v族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法
2001
(57)【要約】
【課題】 発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長 寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿 命の半導体素子を実現する。
【解決手段】 第1の平均転位密度を有する結晶からな る第1の領域A中に第1の平均転位密度より高い第2の 平均転位密度を有する複数の第2の領域Bが規則的に配 列している窒化物系III−V族化合物半導体基板1の 主面上に発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化 物系III−V族化合物半導体層を成長させることによ り半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、 窒化物系III−V族化合物半導体層が窒化物系III −V族化合物半導体基板1の主面上で第2の領域Bと直 接接触しないようにする。
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI