半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法

(57)【要約】 【課題】 発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長 寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿 命の半導体素子を実現する。 【解決手段】 第１の平均転位密度を有する結晶からな る第１の領域Ａ中に第１の平均転位密度より高い第２の 平均転位密度を有する複数の第２の領域Ｂが規則的に配 列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１の 主面上に発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化 物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることによ り半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が窒化物系ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板１の主面上で第２の領域Ｂと直 接接触しないようにする。