新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

(57)【要約】 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるエステル化 合物。 【化１】 （式中、Ｒ 1 はＨ、ＣＨ 3 又はＣＨ 2 ＣＯ 2 Ｒ 14 、Ｒ 2 は Ｈ、ＣＨ 3 又はＣＯ 2 Ｒ 14 、Ｒ 3 はＣ 1 〜Ｃ 8 のアルキル基 又はＣ 6 〜Ｃ 20 の置換されていてもよいアリール基、Ｒ 4 〜Ｒ 13 はＨ又はＣ 1 〜Ｃ 15 のヘテロ原子を含んでもよい １価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していても い。Ｒ 4 〜Ｒ 13 は隣接する炭素に結合するもの同士で何 も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。Ｒ 14 は Ｃ 1 〜Ｃ 15 のアルキル基を示す。ｋは０又は１である。 また、本式により、鏡像体も表す。） 【効果】 本発明のエステル化合物から得られる高分子 化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギ ー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れて いるため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用であ り、特にＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレー ザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基 板に対して垂直なパターンを容易に形成することができ る。