Transistor à couches minces à deux grilles

La presente invention concerne un transistor a couches minces a deux grilles. Plus precisement, la presente invention concerne un transistor a couches minces a deux grilles comprenant : un substrat ; une electrode de grille inferieure positionnee sur le substrat ; une couche d'isolation de grille positionnee sur toute la surface du substrat y compris l'electrode de grille inferieure ; des electrodes de source/drain (S/D) positionnees sur la couche d'isolation de grille de maniere a etre espacees l'une de l'autre ; une couche semi-conductrice positionnee sur toute la surface de la couche d'isolation de grille y compris les electrodes de source/drain ; une couche ionisee positionnee sur toute la surface de la couche semi-conductrice ; et une electrode de grille superieure positionnee sur la couche ionisee.