Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium

L'invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium (100), qui comprend une etape de formation d'un motif-maitre d'un film d'oxyde de silicium (31) par laquelle une partie du film d'oxyde de silicium (31) est retiree par gravure a l'aide d'au moins un compose gazeux du fluor choisi dans le groupe consistant en CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 et SF 6 , et d'oxygene gazeux.