A semiconductor memory device having data bus pairs for the data writing and the data reading

Wahrend eines Burn-in-Tests werden jedes Leseauswahlgate (20), jedes Schreibauswahlgate (30), eine Schreibsteuerschaltung (40) und eine Leseverstarkerschaltung (50) aktiviert und eine Lesedatenbus-Vorlade-/Ausgleichsschaltung (70) und eine globale Lesedatenbus-Vorlade-/Ausgleichsschaltung (80) deaktiviert. Als Ergebnis wird eine Spannungsdifferenz, die zwischen einem globalen Schreibdatenbuspaar (GWDBP) angelegt ist, jeweils an ein Schreibdatenbuspaar (LWDBPk), ein Bitleitungspaar (BLP), ein Lesedatenbuspaar (LRDBP) und ein globales Lesedatenbuspaar (GRDBP) ohne Durchfuhrung eines Modusumschaltens ubertragen.