Feldefekttansistor, transistor arrangement and method of manufacturing a semiconductive single crystalline substrate and a transistor arrangement

Zur Isolation von aktiven Gebieten von n-FETs (91) und p-FETs (92) werden neben den durch Abschnitte eines Halbleitersubstrats (1) ausgebildeten aktiven Gebieten (11n, 11p) Isolatorstrukturen (21n, 21p, 22n, 22p) im Halbleitersubstrat (1) vorgesehen, die herstellungsbedingt eine Zugspannung oder eine Druckspannung auf die jeweils benachbarten aktiven Gebiete (11n, 11p) ausuben und diese entsprechend verspannen. Die Isolatorstrukturen (21n, 21p, 22n, 22p) basieren jeweils auf einem Basisabschnitt (211), durch den in angrenzenden aktiven Gebieten (21n) eine Zugspannung induziert wird. Jeweils an einen p-FET (92) anschliesende Isolatorstrukturen (21p, 22p) werden selektiv mit zusatzlichen Pufferschichten (61) versehen, durch die herstellungsbedingt eine Druckspannung in angrenzenden Strukturen induziert wird. Die Ladungstragerbeweglichkeit sowie von Elektronen in den Kanalbereichen (112n) der n-FETs (91) als auch die von Lochern in den Kanalbereichen (112p) der p-FETs (92) ist erhoht und die Funktionalitat sowohl der n-FETs (91) als auch der p-FETs (92) verbessert.