Procédés de production d'une grande uniformité dans des dispositifs à transistor à couches minces fabriqués sur de minces films cristallisés latéralement

L'invention concerne des procedes de production d'une grande uniformite dans des dispositifs a transistor a couches minces fabriques sur des films minces cristallises lateralement. Un transistor a couches minces (TFT) comprend une zone de canal disposee dans un substrat cristallin, qui a des frontieres de grains qui sont a peu pres paralleles les unes aux autres et qui sont a peu pres egalement espacees. La forme de la zone de canal comprend un polygone non equilateral qui a deux bords lateraux opposes qui sont orientes sensiblement perpendiculairement aux frontieres de grains. Le polygone a en outre un bord superieur et un bord inferieur. Au moins une partie de chacun des bords superieur et inferieur est orientee selon un angle d'inclinaison par rapport aux frontieres de grains. Les angles d'inclinaison sont selectionnes de sorte que le nombre de frontieres de grains couvertes par le polygone soit independant de l'emplacement de la zone de canal dans le substrat cristallin.