Procede permettant de realiser une liaison electrique dans un dispositif electronique semi-conducteur entre une structure de circuit nanometrique et des composants electroniques standards

Cette invention concerne un procede permettant de realiser une connexion electrique dans un dispositif electronique semi-conducteur entre une structure de circuit nanometrique et des composants electroniques standards, lequel procede comprend les etapes consistant: a) a utiliser une structure de circuit nanometrique comprenant une succession (reseau) (3) de nanofils conducteurs (2) substantiellement paralleles les uns aux autres et s'etendant dans une direction x predeterminee; b) a realiser, au-dessus de la succession (3) de nanofils (2), une couche isolante (6); c) a ouvrir, sur la couche isolante (6), une fenetre (7) de largeur nanometrique b s'etendant dans une direction inclinee d'un angle α par rapport a la direction d'extension x des nanofils (2) de facon qu'elle croise substantiellement toute la succession (3) de nanofils (2), avec exposition d'une succession (11) de parties exposees (10) des nanofils (2), une pour chaque nanofil; d) a realiser, au-dessus de la couche d'isolation (6), une pluralite de matrices conductrices (4) s'etendant dans une direction y substantiellement orthogonale par rapport a la direction x et orientees face aux composants electroniques standards, chacune de ces matrices (4) chevauchant, en correspondance avec la fenetre (7), une partie exposee correspondante (10) d'un nanofil (2) avec obtention d'une pluralite de contacts (5) realisant la connexion electrique.