Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al2O3(0001) par ablation laser réactive

Des couches minces epitaxiees de GaN ont ete deposees sur Al 2 O 3 (0001) par la technique d'ablation laser reactive en atmosphere d'azote. Une nitruration prealable du substrat s'est averee indispensable pour obtenir des couches epitaxiees. L'etat cristallin de ces couches minces a ete caracterise par diffraction de rayons X (XRD) et par diffraction d'electrons rasants (RHEED). On a etabli une correlation directe entre les figures RHEED observees et les profils de raies de diffraction X obtenus par la methode de la rocking curve. Cette correlation permet de suivre in-situ la croissance de la couche GaN et d'en controler la qualite cristalline.