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AlGaN/GaN HEMTのデバイス性能に対する裏面ドライエッチングの効果【JST・京大機械翻訳】
AlGaN/GaN HEMTのデバイス性能に対する裏面ドライエッチングの効果【JST・京大機械翻訳】
2021
Ji Keyu
Cui Xiao
Chen Jiwei
Guo Qi
Jiang Bing
Wang BingJun
Sun Wenhong
Hu Weiguo
Hua Qilin
Keywords:
Engineering physics
Materials science
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