DIODE ELECTROLUMINESCENTE EN GaN ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT

L'invention fournit une diode electroluminescente en GaN presentant un rendement d'emission lumineuse ameliore ainsi qu'un dispositif electroluminescent utilisant une diode electroluminescente en GaN de ce type. Dans la diode electroluminescente en GaN, sur une couche de semiconducteur en GaN de type n (2), sont formees successivement une couche electroluminescente (3) composee d'un semiconducteur en GaN et une couche de semiconducteur en GaN de type p (4) et, sur la surface de la couche de semi-conducteur en GaN de type p (4), est formee une electrode resistive de type p (P2) suivant un motif comportant une fenetre. Une couche metallique de reflexion (P5) destinee a reflechir la lumiere qui penetre a partir de la couche electroluminescente au travers de la fenetre est formee afin d'intercaler l'electrode resistive de type p (P2) avec la couche de semi-conducteur en GaN de type p (4) et un film de protection (P4), constitue d'un isolant, est prevu entre la couche de reflexion (P5) et l'electrode resistive de type p (P2). Dans un mode de realisation preferable de la diode electroluminescente en GaN, presentant sa couche de surface la plus haute de la couche de reflexion (P5) en tant que couche de liaison, ou bien en formant de plus une couche de liaison sur la couche de reflexion (P5), la couche de liaison et une carte de montage sont liees a un materiau conducteur de liaison.