Élément à effet magnétorésistant et mémoire vive associée

L'invention concerne un element a effet magnetoresistant presentant une densite de courant d'ecriture faible tout en conservant un rapport TMR eleve. Une couche d'enregistrement a une structure en couches empilees formee d'une seconde couche ferromagnetique, d'une couche non magnetique et d'une premiere couche ferromagnetique. La seconde couche ferromagnetique est en contact avec une couche barriere de MgO et utilise un materiau avec une structure de cristal bcc telle que CoFeB. La premiere couche ferromagnetique utilise un materiau ayant un champ d'anisotropie important (Hk⊥) dans une direction verticale et satisfaisant a une relation 2πMs < Hk⊥ < 4πMs. La premiere couche ferromagnetique a l'axe aise de magnetisation qui est dans un plan, mais a un champ eleve d'anisotropie verticale superieur a une moitie d'un champ de demagnetisation dans une direction verticale. Par consequent, un champ de demagnetisation efficace dans la direction verticale peut etre reduit, permettant de reduire une densite de courant d'ecriture. Un rapport TMR eleve est egalement conserve car le materiau avec la structure de cristal bcc est en contact avec la couche barriere de MgO.