A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbidhalbleitervorrichtung wird ein Halbleitersubstrat (1) aus Siliciumcarbid mit einander gegenuberliegenden ersten und zweiten Oberflachen vorbereitet. Die zweite Oberflache (1b) des Halbleitersubstrats (1) wird so bearbeitet, dass eine Oberflachenrauigkeit der zweiten Oberflache (1b) gleich oder kleiner als 10 nm ist und ein Wert von (100%-Reflexion-Durchlassigkeit) bei einer Wellenlange von Laserlicht (50) gleich oder groser als 80% ist. Auf der zweiten Oberflache (1b) des Halbleitersubstrats (1) wird nach Bearbeitung der zweiten Oberflache (1b) eine Metallschicht (110) ausgebildet. Die Metallschicht (110) wird mit dem Laserlicht (50) bestrahlt, und damit wird auf der zweiten Oberflache (1b) eine ohmsche Elektrode (11) ausgebildet.