Filière technologique hybride InGaAs/SiGe pour applications CMOS

Les materiaux a forte mobilite comme l’InGaAs et le SiGe sont consideres comme des candidats potentiels pour remplacer le Si dans les circuits CMOS futurs. De nombreux defis doivent etre surmontes pour transformer ce concept en realite industrielle. Cette these couvre les principaux challenges que sont l’integration de l’InGaAs sur Si, la formation d’oxydes de grille de qualite, la realisation de regions source/drain auto-alignees de faible resistance, l’architecture des transistors ou encore la co-integration de ces materiaux dans un procede de fabrication CMOS.Les solutions envisagees sont proposees en gardant comme ligne directrice l’applicabilite des methodes pour une production de grande envergure.Le chapitre 2 aborde l’integration d’InGaAs sur Si par deux methodes differentes. Le chapitre3 detaille le developpement de modules specifiques a la fabrication de transistors auto-alignes sur InGaAs. Le chapitre 4 couvre la realisation de differents types de transistors auto-alignes sur InGaAs dans le but d’ameliorer leurs performances. Enfin, le chapitre 5 presente trois methodes differentes pour realiser des circuits hybrides CMOS a base d’InGaAs et de SiGe.