Sensor de pressão microeletronico baseado no efeito piezoMOS

Apresentamos neste trabalho um sensor de pressao de baixo consumo de potencia. totalmente compativel com o processo de fabricacao CMOS. constituido por um amplificador operacional sensivel ao estresse mecânico fabricado sobre uma membrana. O desenho do layout do amplificador e feito de forma a maximizar o efeito do estresse sobre os transistores do par de entrada e minimizar sobre o restante do circuito. O projeto da membrana. bem como a localizacao dos elementos sensores sobre a mesma. Foram determinados atraves de simulacao por elementos finitos. O sensor foi fabricado utilizando o processo CMOS 0.35 IJ.m AMS disponibilizado pelo Projeto Multi-Usuario (PMU) Fapesp. A membrana do sensor foi obtida atraves de um processo de desbaste mecânico da pastilha de silicio onde o circuito foi fabricado. Analisamos tambem a dependencia da tensao de limiar e da mobilidade de um transistor PMOS com relacao ao estresse mecânico. O sensor fabricado apresentou um consumo de potencia da ordem de 3 IJ. W e uma sensibilidade de 8.9 mV/psi Abstract