窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス

【課題】良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。 【解決手段】ＧａＮウエハの主面は、エリア（ｂ）〜エリア（ｅ）を含む。エリア（ｂ）は、オフ角ゼロの付近における六角錐状のモフォロジを示す。エリア（ｃ）は、＜１−１００＞方向に０．２度以上１．０度以下及び＜１−２１０＞方向に−０．３度以上＋０．３度以下のオフ角の範囲における、非常に平坦な表面モフォロジを示す。エリア（ｄ）は、合成オフ角１．０度以下であってエリア（ｂ）及びエリア（ｃ）に挟まれたエリアにおける、線状の表面モフォロジを示す。エリア（ｅ）は、合成オフ角１．０度を超えるエリアにおける点状の表面モフォロジを示す。 【選択図】図８