Circuit integre a semi-conducteur et son procede de fabrication

Technique de circuit integre a semi-conducteur permettant d'ameliorer le degre d'integration d'une memoire RAM dynamique en affinant ses cellules de memoire et d'augmenter la vitesse d'operation de cette memoire RAM dynamique. Procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur consistant d'abord a creer des electrodes de grille (7) sur la surface principale d'un substrat de semi-conducteur (1) comportant des couches isolantes (6) de grille intermediaires, puis a creer des couches (8) de nitrure de silicium sur les surfaces superieures des electrodes (7) et a creer sur les faces laterales des electrodes (7) de premiers elements d'espacement (14) de paroi laterale composes de nitrure de silicium, ainsi que des deuxiemes elements d'espacement (15) de paroi laterale composes d'oxyde de silicium. On ouvre, dans un transistor MIS Qs de la zone des cellules de memoire de la memoire RAM dynamique, des trous de connexion (19 et 21) contre les premiers elements d'espacement (14) de paroi laterale, de facon a effectuer un alignement automatique des trous sur ces premiers elements d'espacement, et on cree des parties de branchement de conducteurs (20) et des lignes de binaire. Dans les transistors MIS a canal N Qn1 et Qn2 et dans un transistor MIS a canal P Qp1 dans la zone de la memoire RAM dynamique autre que celle des cellules de memoire, on cree contre les deuxiemes elements d'espacement (15) de paroi laterale, des zones (16 et 16b) de semi-conducteur de type N extremement denses et une zone (17) de semi-conducteur de type P extremement dense, de facon a obtenir un alignement automatique.