Method of manufacturing an N-channel transistor with a metal gate electrode structure with large ε and a reduced series resistance by epitaxially produced semiconductor material in the drain and source regions and N-channel transistor

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente mit Metallgateelektrodenstrukturen mit grosem e und n-Kanaltransistoren wird ein besseres Leistungsverhalten erreicht, indem epitaktisch aufgewachsene Halbleitermaterialien eingebaut werden, beispielsweise eine verformungsinduzierende Silizium/Kohlenstofflegierung in Verbindung mit einem n-dotierten Siliziummaterial, so dass ein akzeptabler Schichtwiderstand erreicht wird.