Efecto Raman resonante con campos magnéticos intensos en heteroestructuras semiconductoras

EN ESTE TRABAJO SE HAN DESARROLLADO VARIOS MODELOS TEORICOS DE DISPERSION RAMAN BAJO CAMPOS MAGNETICOS INTENSOS. EN PRIMER LUGAR SE HA ABORDADO EL ESTUDIO DE MATERIALES MASICOS, INCLUYENDO LA COMPLEJIDAD DE LAS BANDAS DE UN SEMICONDUCTOR REAL. DEL RESULTADO OBTENIDO SE OBSERVAN FUERTES RESONANCIAS DE SALIDA DEBIDAS EXCLUSIVAMENTE AL CARACTER DE MEZCLA QUE COMPONEN LAS BANDAS DE HUECOS EN SEMICONDUCTORES. POSTERIORMENTE SE HA ESTUDIADO CON DETALLE EL CAMBIO PRODUCIDO EN LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE UN POZO CUANTICO DE TIPO I DEBIDO AL CONFINAMIENTO ESPACIAL. DESPUES DE OBTENER DE FORMA PRECISA LOS NIVELES DE ENERGIA DE DICHOS SISTEMAS, SE HA INCLUIDO EL EFECTO DEL CAMPO MAGNETICO Y GENERALIZADO EL MODELO ANTERIOR PARA EL CASO DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS. COMO CONSECUENCIA DEL CONFINAMIENTO, LA MEZCLA ENTRE BANDAS AUMENTA CONSIDERABLEMENTE. SE HA REALIZADO UN ESTUDIO EXPERIMENTAL DE DOS POZOS CUANTICOS MULTIPLES DE A1AS/GAAS/A1AS DE 44 Y 99 A. LA COMPARACION CON LOS NIVELES DE ENERGIA CALCULADOS ES ALTAMENTE SATISFACTORIA. UN ULTIMO MODELO DESARROLLADO, INCLUYENDO LA INTERACCION CULOMBIANA ENTRE EL ELECTRON Y EL HUECO, HA PERMITIDO COMPRENDER LA RUPTURA DE LAS REGLAS DE SELECCION CUANDO LOS EXPERIMENTOS SE REALIZAN EN CONDICIONES DE DOBLE RESONANCIA.