Dispositif et procédé de gravure d'empilements de grilles de mémoire flash comprenant une constante diélectrique élevée

Dans une mise en oeuvre, un procede peut graver une plaquette pour former des dispositifs comprenant une couche a constante dielectrique elevee. Ce procede consiste a graver une couche de materiau conducteur superieure dans une premiere chambre a plasma avec une basse temperature de cathode, a transferer la plaquette dans une deuxieme chambre en conservant le vide, a graver une couche a constante dielectrique elevee dans la deuxieme chambre et, a transferer la plaquette de la deuxieme chambre a la premiere chambre a plasma en conservant le vide. Une couche de materiau conducteur inferieure est gravee avec une basse temperature de cathode dans la premiere chambre. Dans une mise en oeuvre, la gravure a constante dielectrique elevee est une gravure par plasma au moyen d'une cathode haute temperature. Dans une autre mise en oeuvre, la gravure a constante dielectrique elevee est une gravure par ions reactifs.