Etude de la morphologie de couches minces de BGaN épitaxiées par MOVPE sur substrat template AlN

Une nouvelle classe de materiaux a base de GaN est apparue ces dernieres annees. La realisation de sources optiques compactes a base de ces alliages pouvant emettre dans la gamme des courtes longueurs d’onde ( bleu et UV) ouvre la voie vers de nombreuses applications. Cependant l’epitaxie de ces materiaux est rendue difficile a cause du desaccord parametrique entre les couches deposees et les substrats existants. L’incorporation de bore dans GaN permet de reduire le desaccord entre le nouvel alliage obtenu BGaN et le pseudo - substrat d’AlN. Les proprietes de ces materiaux dependent fortement de la qualite des couches deposees. Aussi, ce travail presente une etude de la morphologie d'echantillons de BGaN de differentes compositions de bore fabriques par MOVPE. Cette etude morphologique est realisee via la microscopie a force atomique (AFM) et la microscopie electronique a balayage (MEB). Elle montre une evolution de l'etat de surface en fonction de la composition de bore.