Passivation de InSb: Croissance et composition chimique de sulfures natifs obtenus par plasma haute fréquence

Resume La passivation de la surface du semiconducteur InSb comme celle des autres semiconducteurs III–V reste l'etape qui limite le developpement de composants MIS (metal/insulator/semiconductor) a base de ces materiaux. Nous etudions dans cet article un nouveau procede de passivation de InSb, par croissance de sulfures plasma natifs, obtenus par reaction d'une decharge electroluminescence h.f. de sulfure d'hydrogene avec la surface de ce semiconducteur. On comparera plus particulierement les cinetiques de croissance et la composition des couches en fonction des conditions de plasma. On montre alors qu'en fonction de ces conditions on forme des sulfures de composition se rapprochant soit de celle deIn 2 S 3 soit d'un melange In 2 S 3 + Sb 2 S 3 .