Dispositif semi-conducteur et dispositif de conversion de puissance électrique l'utilisant

L'invention concerne un IGBT qui permet de supprimer le courant excessif circulant pendant un court-circuit, tout en diminuant les pertes et le bruit (faible deplacement du potentiel electrique, faible oscillation du courant), un element presentant une grande tolerance aux fractures. L'IGTB est un IGTB a tranchee ; il comporte une pluralite de gâchettes a tranchee disposees de maniere a former deux types (large et etroit) d'espaces ; il comporte une structure MOS qui comporte un canal d'un premier type de conductivite et qui est entre la paire de gâchettes a tranchee susmentionnee qui est disposee avec un espace etroit entre les deux gâchettes ; et comporte une couche semi-conductrice flottante du premier type de conductivite et qui est separe des gâchettes a tranchee susmentionnees en intercalant une partie d'une troisieme couche semi-conductrice d'un second type de conductivite entre la paire de gâchettes de tranchee susmentionnee qui est disposee avec un espace large entre les deux gâchettes. De plus, cette couche semi-conductrice flottante est disposee parallelement a et dans une position correspondant a une electrode emettrice et une premiere couche semi-conductrice ayant le meme potentiel electrique, une pellicule isolante etant intercalee entre elles. Au moyen de la structure ci-dessus, la concentration du champ electrique dans les sections de coin des gâchettes a tranchees susmentionnees est allegee, la resistance a la tension est augmentee, et l'on obtient un faible bruit et de faibles pertes.