Halbleiterlaser, Verfahren zur Herstellung und Verwendung

2007 
Es wird ein Halbleiterlaser angegeben, in dessen monolithisch integriertem Schichtenstapel zumindest ein erstes und ein zweites Diodenlaserschichtsystem ausgebildet sind, die im Stapel ubereinander angeordnet und durch eine einen Tunnelubergang aufweisende Tunnelschicht voneinander getrennt sind. Die beiden Diodenlaserschichtsystem sind elektrisch in Serie geschaltet und erzeugen gleichzeitig Laserstrahlung unterschiedlicher Wellenlangen. Der Halbleiterlaser ist insbesondere fur laserspektroskopische Anwendungen bei unterschiedlichen Wellenlangen geeignet.
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