Halbleiterlaser, Verfahren zur Herstellung und Verwendung
2007
Es
wird ein Halbleiterlaser angegeben, in dessen monolithisch integriertem
Schichtenstapel zumindest ein erstes und ein zweites Diodenlaserschichtsystem
ausgebildet sind, die im Stapel ubereinander
angeordnet und durch eine einen Tunnelubergang aufweisende Tunnelschicht
voneinander getrennt sind. Die beiden Diodenlaserschichtsystem sind
elektrisch in Serie geschaltet und erzeugen gleichzeitig Laserstrahlung
unterschiedlicher Wellenlangen.
Der Halbleiterlaser ist insbesondere fur laserspektroskopische Anwendungen
bei unterschiedlichen Wellenlangen
geeignet.
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