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Acemap > Paper > 에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al2O3 게이트산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성

에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al2O3 게이트산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성

2018 
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