SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO 2 -Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD . Film tipis TiO 2 -Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH 3 ) 2 ) 4 ] 99,99%dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3] 99%. Parameter penumbuhan, seperti: suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 50oC, suhu substrat 450oC, tekanan bubbler Ti(OCH(CH 3 ) 2 ) 4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH 3 ) 2 ) 4 100 sccm, laju aliran gas O 2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Ukuran butiran dan kekasaran permukaan film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO 2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO 2 -Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO 2 . Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.