Procédé de formation d'un film d'oxyde de silicium et appareil de formation d'oxyde par plasma

Selon l'invention, pendant la mise sous vide d'un interieur d'un conteneur de traitement 1 a l'aide d'un dispositif d'echappement (24), un gaz contenant de l'ozone avec un rapport en volume de 50 % ou plus d'O 3 a un volume total de gaz inerte et O 2 et O 3 , est introduit a un debit predetermine a l'interieur du conteneur de traitement 1 a partir d'une source d'alimentation de gaz inerte (19a) et d'une source d'alimentation de gaz contenant de l'ozone (19b) dans un systeme d'alimentation en gaz (18) au moyen d'une partie d'introduction de gaz (15). Le conteneur de traitement 1 est irradie par des micro-ondes a une frequence predeterminee telle que de 2,45 GHz qui sont generees par un systeme de generation de micro-ondes (39) a partir d'une antenne plate par l'intermediaire d'une plaque de transmission (28), permettant ainsi de transformer en plasma le gaz inerte et le gaz contenant de l'ozone. Le plasma excite par les micro-ondes forme le film d'oxyde de silicium sur la surface de la tranche W. Il est egalement acceptable d'apporter a un stade (2) une puissance electrique haute frequence d'une frequence predeterminee et a une puissance provenant d'une source d'energie haute frequence (44) pendant l'oxydation par plasma.