인화인듐계 양자점 및 그 제조방법

본 발명은 적어도 인듐 및 인을 포함하는 코어층, 적어도 인듐 산화물을 포함하는 코팅층, 및 적어도 아연 및 황을 포함하는 쉘층을 포함하는 InP계 양자점 및 그 제조 방법에 관한 것이다.