Couche a concentration progressive de carbone pour accroitre l'adherence de substrats du type dielectrique a faible constante k sur silicium

Structure et procede d'obtention de couche d'isolant presentant des couches a concentration progressive de carbone sur substrat, la concentration de carbone s'accroissant a chaque couche de carbone successive du substrat. L'isolant comprend un dielectrique a faible constante k, inferieure a 3,3. La couche a concentration progressive de carbone accroit l'adherence entre le substrat et l'isolant, et entre l'isolant et la couche conductrice. La structure peut aussi comprendre des interfaces de stabilisation entre les couches a concentration progressive de carbone. Plus specifiquement, les couches a concentration progressive de carbone comprennent une premiere couche, adjacente au substrat, qui presente une teneur en carbone comprise entre environ 5 % et 20 % ; une deuxieme couche, situee sur la premiere couche, qui presente une teneur en carbone comprise entre environ 10 % et 30 % ; et une troisieme couche, situee sur la deuxieme couche, qui presente une teneur en carbone comprise entre environ 20 % et 40 %.