ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程

【課題】本発明は別個の活性化工程を必要とせずにａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程を提供する。 【解決手段】ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程において、反応チャンバ内に基板を導入し、加熱する。Ｎ 2 キャリアガスと、ＩＩＩ族元素の源化合物、窒素源化合物及びｐ型不純物を含む反応性化合物とを反応チャンバ内に供給する。化学反応が生じてａｓ−ｇｒｏｗｎのｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層が形成される。 【選択図】図１