包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响

利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜，最终制备ZnO／Pt纳米粒子／ZnO结构的金属．半导体．金属型紫外光电探测器．研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属．半导体一金属型紫外光电探测器响应性能的影响．结果表明，探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高．在60V偏压下，包埋Pt最深的探测器在波长365nm处取得响应度最大值1．4A·W^-1，包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍．结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试，得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射．