低损耗(Mg 0.95 Zn 0.05 ) 2 (Ti 0.8 Sn 0.2 )O 4 陶瓷的微波介电性能研究

采用标准电子陶瓷工艺制备了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷。研究了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能。采用X射线衍射分析其物相组成,利用SEM观察其显微结构。XRD图谱表明烧结样品为立方尖晶石(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4结构,晶胞参数为a=b=c=0.848794nm。实验结果表明,随烧结温度升高,样品相对介电常数(er)和品质因数(Q.f)先增加后减小,谐振频率温度系数(τf)变化不大。1325℃/5h烧结样品具有优良微波介电性能:er=13.1,Q.f=131170GHz(10GHz)、τf=-55.6×10-6/℃。