Mémoire à résistance variable et son procédé de fabrication

La presente invention concerne une memoire a resistance variable et son procede de fabrication. La memoire comprend un substrat (24), une electrode superieure plane (21), une electrode inferieure en forme de pic (23) dont la partie centrale fait saillie vers le haut, et un materiau a resistance variable (22) entre l'electrode inferieure (23) et l'electrode superieure (21). La consommation de courant peut etre abaissee au moyen de l'electrode inferieure en forme de pic (23). Le procede de fabrication comprend les etapes suivantes : une structure en forme de pic est formee sur la surface du substrat (24) par un processus de gravure, l'electrode inferieure (23) est amenee a croitre sur la structure pour former l'electrode inferieure en forme de pic (23), puis le materiau a resistance variable (22) et l'electrode superieure (21) sont deposes. L'ensemble du processus de fabrication est simple et permet d'obtenir un dispositif hautement integre.