NiS 2- x Se x 在 x =1.00附近的反铁磁量子相变

2008 
针对NiS 2- x Se x 系统在 x =1.00附近发生的反铁磁量子相变,制备了一系列NiS 2- x Se x ( x =0.96, 0.98, 1.00, 1.05, 1.10和1.20)多晶样品,对其结构、磁性质和电阻率进行了系统的观测.结果发现:样品磁化率-温度关系呈现典型的强关联电子系统特征;与铜氧化物超导体相类似,它们的电阻率-温度关系在很宽的温
    • Correction
    • Source
    • Cite
    • Save
    • Machine Reading By IdeaReader
    0
    References
    0
    Citations
    NaN
    KQI
    []