NiS 2- x Se x 在 x =1.00附近的反铁磁量子相变
2008
针对NiS 2- x Se x 系统在 x =1.00附近发生的反铁磁量子相变,制备了一系列NiS 2- x Se x ( x =0.96, 0.98, 1.00, 1.05, 1.10和1.20)多晶样品,对其结构、磁性质和电阻率进行了系统的观测.结果发现:样品磁化率-温度关系呈现典型的强关联电子系统特征;与铜氧化物超导体相类似,它们的电阻率-温度关系在很宽的温
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