Procédés de dépôt et libération d'accumulation de contrainte

L'invention porte sur un procede de depot pour liberer une accumulation de contrainte d'une caracteristique sur un substrat semi-conducteur avec un materiau dielectrique. La caracteristique comprend des lignes separees par un espace. Le procede comprend la formation d'une couche de revetement sur la caracteristique sur le substrat semi-conducteur dans une chambre. Une contrainte de la couche de revetement sur la caracteristique est liberee pour reduire sensiblement une courbure des lignes de la caracteristique. Un film dielectrique est depose sur la couche de revetement a contrainte liberee pour remplir sensiblement l'espace de la caracteristique.