Structure semi-conductrice utilisee avec des signaux a haute frequence

L'invention concerne des couches epitaxiales de qualite elevee de materiaux semi-conducteurs de composant (26) pouvant etre developpees sur de grandes tranches de silicium (22), en developpant dans un premier temps une couche tampon d'accommodation (24) sur une tranche de silicium. Cette couche tampon d'accommodation est une couche d'oxyde monocristallin separee de la tranche de silicium par une couche interface amorphe (28) d'oxyde de silicium. La couche interface amorphe dissipe la deformation et permet de developper une couche tampon d'accommodation d'oxyde monocristallin de qualite elevee. On peut eviter tout decalage entre la couche tampon d'accommodation et le substrat de silicium sous-jacent grâce a la couche interface amorphe. Ces materiaux semi-conducteurs possedent des applications comprenant les communications avec des signaux a haute frequence pour des systemes de transport intelligent, tels que des systemes de radar automobile, des systemes de controle de croisiere intelligents, des systemes d'evitement de collision, des systemes de navigation automobile et enfin, des systemes de paiement electronique qui utilisent les signaux hyperfrequence ou radiofrequence, comme le paiement de peage electronique pour divers systemes de transport comportant des billets de train, des peages routiers, des structures de stationnement et enfin des peages de ponts pour des automobiles.