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28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
2013
kenta kuroda
kai watari sirai
kazuaki okamoto
kanna miyahara
kouzi miyamoto
taiti okuda
hirofumi namatame
masaki taniguti
yosifumi ueda
akio kimura
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